Nexperia推A-selection齐纳二极管 新华三云安全获CSA双重认可

  近日，由云安全联盟大中华区（CSA GCR）主办的“CSA成果发布&云颁奖典礼”召开。会上，新华三集团作为核心团队参编的《E安全访问服务边缘白皮书》重磅发布。同时，凭借同构混合、全栈全场景的云安全能力，新华三成功斩获“CSA 2021安全金盾奖”。

  “CSA 2021安全金盾奖”是中国云安全领域具含金量的奖项之一，评选要求极高，代表该企业的安全产品具备核心竞争力，在相关领域占了重要的市场占有率并得到业界认可，是相关安全领域的佼佼者。此次新华三集团获此殊荣，是用户、市场和行业的多方肯定，也是对新华三在安全领域技术实力的褒奖。

  新华三SASE云安全解决方案凭借遍布全球SD-WAN网络和POP点资源优势，将网络即服务和安全即服务融合在一起，能在企业要的任何时间、任何地点为用户更好的提供动态创建的、基于策略的安全访问服务边缘能力。目前，新华三已经积累了成熟的AD-NET网络建设能力、云平台建设能力和主动安全建设能力，自有多技术栈深层次地融合使得新华三SASE云安全解决方案具备全面统一、融合的优势。此外，为了确认和保证所有网络和安全功能随处可用，新华三实现了SASE云全球覆盖，并以企业云安全原生优势为依托为用户更好的提供灵活、广覆盖的安全接入能力。

  基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布推出业内首批A-selection齐纳二极管。BZT52H-A（SOD123F）和BZX384-A（SOD323）系列的容差仅有±1%，相比B（±2%）和C（±5%）版本，可提供更高精度的基准电压。这两个系列不但可以满足日渐增长的移动便携式和可穿戴应用、汽车和工业应用的需求及监督管理要求，也能支持Q产品组合器件。

  “Nexperia的A-selection齐纳二极管涵盖从2.4V至75V的各种应用，提供高精度、低容差基准电压，”Nexperia产品经理Paula Stümer介绍，“如果向栅极-源极路径或漏极-栅极路径施加极限电压，或从更多种类的合适的MOSFET中做出合理的选择，用具有焊盘兼容性的A-selection齐纳二极管代替B-或C-selection，工程师可以将MOSFET的性能发挥到极致。”

  A-selection齐纳二极管的正常工作电压范围为2.4V至75V（E24范围）。这一些器件的非重复反向峰值功耗≤40W，总功耗≤250mW，差分热阻低。低容差可提供更高精度的电压，对应用的测试与测量尤其关键，可帮助工程师取代成本更高的电压基准器件。相比直接保护MOSFET，另一种替代方案更为经济，即将漏极-栅极路径与齐纳二极管并联。齐纳二极管被击穿后，MOSFET随即导通，防止漏极-源极发生雪崩击穿。

  近日，全球领先的人工智能软件公司商汤科技首次公开发布《2021企业社会责任报告》（以下简称“报告”，点击此处下载报告全文），报告以“迎难而上，大AI无疆”为主题，发布了商汤在创新科技发展、科技惠民、科技兴业、公司治理等方面的探索与举措，切实以科技解决社会问题，推动AI普惠发展。商汤科技董事长兼CEO徐立在报告中表示，希望能够通过商汤的努力，可以让更多的人能够最终靠人工智能技术按照自己的方式改变世界，让每一个人都能看到人工智能给生活带来的价值。

  商汤相信，前沿科技探索与研究是社会高水平发展的重要基石和助力引擎。作为领先的AI软件公司，商汤聚焦人工智能技术与平台化能力，在保持自身对AI领域前沿科技的关注与投入、夯实技术基础与关键技术攻关的同时，积极推动建设开放、严谨、持续发展的科学技术创新环境与生态。

  在AI创新生态方面，商汤科技在AI开源过程中扮演积极的角色，并基于此与众多科研人员和行业参与者建立了密切联系。商汤围绕感知智能、决策智能及高性能推理引擎等方向分别建立了主要开源算法平台，并在这一些平台上公开了10个共享代码库及约1，500个人AI模型，有包括清华大学、卡内基梅隆大学及微软亚洲研究院等全球超过100个国际和地区的机构参与构建，为人工智能技术普惠、降低AI对中小企业的准入门槛产生了积极作用。

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  中PN结电容的大小除了与本身结构尺寸和工艺有关，还与外加电压有关。一般来说，结电容随反向电压的增加而减小，这种效应显著的

  是利用PN结之间等效电阻可变的原理制成的半导体元器件，它一般是采用轴向塑料封装，主要使用在于10--1000MHz高频电路或者开关电源电路当中作可调衰减器，起到限幅

  。如果所需的电压调节值很高，则多个串联连接特别不方便。这促使我寻找其他替代设备。发光

  ，利用pn结的反向击穿状态，电流可以在很宽的范围内变化，电压基本恒定，并制造了充当稳压器的

  电路中的 1N4728 稳压器的信息，请参阅 Kynix 半导体上的 BZT52C3V3 稳压器：图 10.齐纳击穿特性 （

  之称。是一种具有单方向导电特性的无源半导体器件。事实上，一个PN结就形成了

  如果感应电压达到雪崩击穿电压，它会吸收过压事件的多余能量，然后在过压情况后自动复位。虽然标准

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